您現(xiàn)在的位置:首頁 >關(guān)于我們 >行業(yè)新聞 >阻變存儲(chǔ)器技術(shù)可在單芯片存1TB數(shù)據(jù)
今天,加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù),可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù),這意味著未來電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度將極大地提高,同時(shí)RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍,讀寫時(shí)的功率僅為1/20。
取決于不同的設(shè)備,RRAM可以將設(shè)備電池壽命延長數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年,使用壽命也10倍于NAND,可以說是一種完美的高速存儲(chǔ)器。Crossbar還表示,這種存儲(chǔ)器還可以以陣列的方式運(yùn)行,他們計(jì)劃將這項(xiàng)技術(shù)授權(quán)給其它公司使用,目前30余項(xiàng)專利已經(jīng)被授予。
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